#3 - Testování MOSFETu pomocí multimetru
Vložit
- čas přidán 22. 02. 2019
- Pokud nemáte po ruce tester součástek, kterým by bylo možné otestovat MOSFET tranzistor, tak podle jednoduchého testu popsaného ve videu si můžete ověřit, jestli je MOSFET stále funkční nebo ne. Postačí vám k tomu obyčejný multimetr vybavený diodovým testem.
Ve videu je nejprve vidět multimetr Beha-Amprobe AM-555-EUR, ale během testování došlo k vybití jeho baterie, proto jsem následně použil multimetr UNI-T UT171A, o kterém jsem mluvil v jiném videu.
Poznámky z videa: uloz.to/file/nc2j5gQ9Oxfv/04-... - Věda a technologie
Děkuji za ukázku, velmi poučné.
Konecne zrozumitelne vysvetlenie. Super
Super poučná videa. Hodně mě to zajímá i baví. Konečně se našel někdo kdo to dokáže krásné vysvětlit i méně ználym. Pokračujte rozhodně dal. 👍
Díky za povzbuzení. Jinak parádní CZ kanál o technice, kde jsou věci dost povedeně vysvětlené, je podle mě ViaExplore Tomáše Kamenického. Sice už s natáčením přestal (je to opravdu hodně časově náročné), ale je tam celá řada inspirativních videí.
@@technical-view-channel-cz Další kdo má naprosto super videa je Dirr90 - tedy pokud již neznáte.
Výborný video, konečně jsem to pochopil, jak to funguje. Díky.
Díky za super video !
Vynikajúce video, už sa teším na ďalšie :)
Výborné, děkuji za pomoc 👍😊
super dávám like, jen tak dál
Super
Týá schéma je ako tak použiteľná ale merať výkonové MOSFETy na pár mA je blbosť. A prečo nepoužiť viac otáčkový R trimer?
Super video! Nevedel by si mi poradiť s čím nahradiť N mosfet NCE2012, SOP-8? Je to z nabíjačky iMAX B6.Ďakujem.
K tomu by se mohlo hodit prakticky cokoliv, co bude mít stejné nebo větší Vds jako NCE2012, pak si pohlídat i maximální/minimální hodnoty Vgs, pak i Rds(on), aby odpor nebyl o moc vyšší než je u stávajícího, jinak by se mohl nový mosfet více zahřívat a díky tomu i dříve odejít, měl by mít také podobnou nebo vyšší hodnotu proudu Id apod. Je potřeba otevřít obchod kde chceš nakupovat a podle těchto parametrů zkusit mosfet dohledat. A pokud tam přes nějakou "redukci" nedostaneš mosfet v jiném pouzdře, tak do výběru zahrnout i SOP pouzdro.
@@technical-view-channel-cz Ďakujem pekne za odpoveď.
paráda
Prosím vás irfb 4110 mne to ukazuje opačne, z multimetre červený musím dať napravo a čierny naľavo a ukáže 607.
Nevím, co je myšleno tou pravou a levou stranou, když mosfet má tři vývody a lze ho libovolně otáčet. Důležité je přiložení odpovídajících měřících šňůr vhodného multimetru na ty správné vývody podle postupu popsaného ve videu. Případně zkusit druhý test.
Je možné spoľahlivo otestovať mosfet(N) s hodnotami 60V a 160A,len s použitím multimetra a dokonca ešte ak je zapojený v obvode?
Pokud dojde jen k částečnému průrazu, tak se taková závada projevuje až při vyšším zatížení a testování pomocí multimetru je v takovém případě nespolehlivé.
@@technical-view-channel-cz Ďakujem za odpoveď, závada je taká,že hilti aku vŕtačka nefunguje vôbec a je to vlastne dvojica mosfetov zapojených paralelne, (pri meraní sa chovajú rovnako, nie je možné ich otvoriť), no mám podozrenie že je vadný riadiaci obvod (spínač-regulácia otáčok).Ešte by ma zaujímalo, či sa dá tak výkonný mosfet (IRFB3306) zopnúť napätím na multimetri 3,9V. Inak ďakujem za záujem a oceňujem takúto tvorbu,na niektoré otázky sa aj na internete ťažko hľadá odpoveď.
@@imatus235 Podle dokumentace a převodní charakteristiky (při teplotě 25°C) bude zmíněný tranzistor IRFB3306 po připojení napětí 3,9V mezi G-S schopen vést mezi D-S proud do velikosti přibližně 5A, možná 6A.
@@technical-view-channel-cz Ďakujem pekne, vaše odpovede mi pomohli 👍
Zdravím ,ten Potenciometr musí být nutně 5k,
Když zrovna nemám 5k.
Dik
Může být 10 k n. 50k n. 500 k
a máš NPN já vidím PNP
V tomhle videu ale bipolární tranzistory nejsou, není tedy zde ani NPN a ani PNP. Pouze MOSFET typu N.
Chlapec asi ani netuší nič o ESD problematike!
Chlapec tuší a dokonce tenhle komentář i chápe... Teď ale vážně. S komentem určitě souhlasím, na FETy by se nemělo sahat rukou. Vím moc dobře, že může dojít vlivem statické elektřiny k narušení již tak tenké izolační vrstvy na řídící elektrodě, která se nemusí projevit okamžitou poruchou, ale naopak se klidně může projevit až za nějakou dobu používání. Dokonce jsem si už pohrával s myšlenkou, že bych zkusil vzít pár tranzistorů, nasimulovat u nich poškození různým napěťovým přetížením, a pak si je naskenovat v μCT a ze skenů vytvořit 3D model. Z toho by mohlo být zajímavé video. Nicméně tohle video o ESD není, proto jsem si dovolil zkratovat vývody přiložením prstu. Je to spíš jen demonstrace toho, jak se MOSFET chová. S tím souvisí i proudové zatížení (reakce na druhý komentář). Mám dojem, že nějakou zmínku na spodní proudové omezení mám v jiném videu.
Slovensko asi zkusilo vyvolat skandál a ještě snaha o chytračení....Docela slušně narazilo :-)