Интересно получилось, однозначно лайк. Я тут посмотрел, как устроен вход баофенга 5 по схеме. Два включенные в параллель диода HSC277, и включены не встречно, подключены в том же направлении, что и база эммитер переход первого транзистора. Ожидал увидеть там встречно параллельные диоды, как это делают обычно, но может в схеме ошибка. Диод должен погибнуть после теплового пробоя. На небольшой SMD диод большую мощность подавать не трубуется, чтобы спалить его. А вот что стоит в алинке... попробую найти ее схему. С баофенгами к сожалению так не получится. Но проводить опыт с ним не готов такой. Есть еще ряд радиостанций, с которыми так не выйдет. Попадались подпаленные LOW бенд диапазона, которые дальше сотни другой метров не ловили. А вот алинки по этому видео, и кенвуды по моему опыту, выдерживают хорошую перегрузку по входу.
кстати в видео вкралась ошибка, обе диспетчерские радиостанции используют 10вт, а в не 50вт. Схему алинки я нашел www.radioscanner.ru/files/alinco/file2523/. www.radioscanner.ru/files/download/file14137/shema-baofeng-5r.pdf baofeng тоже защищен диодами по входу - D15, 16, 18, 19 , правда включены они лишь в одну сторону и вообще схема вызывает много вопросов, в отличии от схемы alinco. Вообще у меня лежал где-то труп baofenga, у которого совсем сдохла передача, если он найдется я проверю его на прием и проверю.
С бафенгом будет интереснее. Еще один момент, получалось ли такое? czcams.com/video/4lTW2yzenGs/video.html Пару дней назад получилось случайно, больше никогда не видел. Бао почти новый.
@@user-cd9ee1og8u нашел я плату от баофенга, посмотрел, да, диоды защитные стоят в одной полярности к сожалению. Это впролне может быть причиной выхода из строя именно баофенгов.
@@1000milliwatt благодаря вашему спору я постарался изучить эту тему и выяснил следующее, диоды стоят в одной полярности правильно, потому что это не обычные диоды, это PIN диоды с дополнительным I слоем между P и N переходами, при превышении ВЧ энергии на входе эти диоды увеличивают проводимость до долей ома тем самым хорошо шунтируя вход.
Интересно получилось, однозначно лайк. Я тут посмотрел, как устроен вход баофенга 5 по схеме. Два включенные в параллель диода HSC277, и включены не встречно, подключены в том же направлении, что и база эммитер переход первого транзистора. Ожидал увидеть там встречно параллельные диоды, как это делают обычно, но может в схеме ошибка. Диод должен погибнуть после теплового пробоя. На небольшой SMD диод большую мощность подавать не трубуется, чтобы спалить его. А вот что стоит в алинке... попробую найти ее схему.
С баофенгами к сожалению так не получится. Но проводить опыт с ним не готов такой. Есть еще ряд радиостанций, с которыми так не выйдет. Попадались подпаленные LOW бенд диапазона, которые дальше сотни другой метров не ловили. А вот алинки по этому видео, и кенвуды по моему опыту, выдерживают хорошую перегрузку по входу.
кстати в видео вкралась ошибка, обе диспетчерские радиостанции используют 10вт, а в не 50вт. Схему алинки я нашел www.radioscanner.ru/files/alinco/file2523/. www.radioscanner.ru/files/download/file14137/shema-baofeng-5r.pdf baofeng тоже защищен диодами по входу - D15, 16, 18, 19 , правда включены они лишь в одну сторону и вообще схема вызывает много вопросов, в отличии от схемы alinco. Вообще у меня лежал где-то труп baofenga, у которого совсем сдохла передача, если он найдется я проверю его на прием и проверю.
С бафенгом будет интереснее. Еще один момент, получалось ли такое? czcams.com/video/4lTW2yzenGs/video.html
Пару дней назад получилось случайно, больше никогда не видел. Бао почти новый.
@@1000milliwatt баофенг я нашел, с ним сделаю на выходных. Да такая частота выставляется и шагает точно так же, как на видео.
@@user-cd9ee1og8u нашел я плату от баофенга, посмотрел, да, диоды защитные стоят в одной полярности к сожалению. Это впролне может быть причиной выхода из строя именно баофенгов.
@@1000milliwatt благодаря вашему спору я постарался изучить эту тему и выяснил следующее, диоды стоят в одной полярности правильно, потому что это не обычные диоды, это PIN диоды с дополнительным I слоем между P и N переходами, при превышении ВЧ энергии на входе эти диоды увеличивают проводимость до долей ома тем самым хорошо шунтируя вход.