Сравнение Si, SiC, GaN транзисторов.Часть 2: работа в преобразователе
Vložit
- čas přidán 6. 12. 2023
- В предыдущей части сравнивались кремниевые IGBT и MOSFET, карбид-кремниевые SiC-MOSFET и нитрид-галлиевые GaN транзисторы. Разница по динамике была видна. Но какая будет разница при работе в реальном преобразователе?
Отличное исследование. Жаль мало людей интересуется такими тонкими вещами. Всяческих успехов вам.
Всё хорошо, однако жаль что не показываете саму рабочую схему (в железе) и не показываете подключение щупов. Разве это как-то проблематично?
А что там у вас за ноухау в затворной цепи из трех резисторов и конденсатора неясных номиналов? Похоже на торможение включения.
ещё бы нашей реальности как то коснуться, что чаще подделывают, как быстро организовать входной контроль и т.д. и т.п. Хотя это не совсем электроника. Но всё же если изделий больше чем несколько штук, вопросы сразу актуальны.
А что если параллельно к мосфету паять быстрый диод ??
Про мосфет не соглашусь, совсем всё не так, допустим в мощьных блоках питания для майниговых ферм применяются именно мосфет транзисторы в PFC ,в полумосте и в синхронном выпрямителе и применяются они с большим успехом. Так же и самых надёжных сварочных аппаратах называемых среди ремонтников трёхэтажки,тоже применяются мосфеты в мостовом преобразователе и ещё очень много где применяется где нужно хороший КПД при частотах от 70 кГц и выше
По-моему вы нагнали худа на обычные высоковольтные полевики. В топовых бп полевики используют на 600-800 вольт, если что. Что мешает зашунтировать внутренний диод ультрафастом или карбид-кремниевым шоттки? Да и против выбросов супрессор поставить?
Привет из Томска 🎉
🧐......GaN🥰🤗 Недавно приобрёл "NTP8G206NG",...10 евро за штуку, в принципе терпимо. Датащит очень порадовал.😀 Их и в передатчик, и усилилитель класса "Д" на ура засунуть можно, вместо IRF640N.
Просто, наглядно и понятно. Я даже кроме спасибо и сказать то немогу нечего... )
Лучше увидеть один раз)
Спасибо. Очень наглядно и интересно.
Красота.
Спасибо!👍👍👍
Хотелось бы увидеть ещё в сравнении включение мосфета с блокирующим диодом последовательно и ультрафастом за ними.
Нужно использовать не жесткий режим а zvs . Или квази-резонанс , как в блоках dps2000 или dps2500 .
Правильно ли я понимаю ваш посыл, на высоком направлении (600В ключи) хорошая скорость переключения полностью нивелируется восстановлением встроенного диода, и сумарные потери переключения + восстановления диода у ИГБТ будут гораздо меньше чем у обычного мосфета, и если хотим делать бюджетный преобразователь на частоте 30-50 кгц, то надо ставить последовательно БВД диоды последовательно мосфетам ?
Ситуацию с диодами в MOSFET можно исправить параллельным подключением дискретных диодов UltraFAST или Шоттки? B что из них лучше в таком случае? p.s. GaN'ом нужно было на той же частоте управлять, что и с другими. Так было бы нагляднее даже на малом токе. И что с драйверами? Для GaN'а была доработка? Там же -3В/+15В ? И, насколько я помню, для GaN'а вообще нет понятия "встроенный паразитный диод", т.к. его там в принципе нет. И GaN у вас был нормально открытый или нормально закрытый?
А почему в спайс моделях медленного обратного восстановления параллельного диода у мосфетов не наблюдается?
Для тех кто в танке объясните чем плох большой ток восстановления диода?