Muy bien explicado y muy bien estructurado. Por cierto, que software utilizas para la simulación? Es una versión gratuita o la has pagado? Muchas gracias!
Hola Víctor. Pienso que el acceso a la información debería ser gratis. Así que puedes buscar en estos libros: "Principios de Electrónica" de Abert Malvino o en "Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos" de Robert L. Boylestad. Algunos detalles de diseño y descripción de funcionamiento tal vez no están muy detallados en los libros, así que toca apelar a que tan bien se maneja la teoría para hallar una explicación.
La puerta del transistor de canal N debe estar a una tensión umbral por encima de la tensión de la fuente, lo que no consigue con la configuración que implementa, para activar el transistor canal N necesita una configuración de bootstrap.
Hola Discrete Component, gracias por comentar. Para aclarar, en el video no utilizo un mosfet canal N sino canal P, miralo nuevamente y verificalo. Por otro lado, para activar el mosfet como refiero en el video, se requiere entre 4V y 10V entre source y el gate (está en el datasheet) asi que no se necesita un voltaje mayor que la fuente(12V) como dices. Y por último, usando el sentido común, si cualquier transistor no se activara entonces la salida Vo seria 0V pero en la simulación la salida Vo es 5V, lo cual contradice tu afirmación.
@@detodounpoco_electronica Ohhh si lo entiendo disculpame normalmente en la práctica no se implementa de esa manera y di por hecho un canal N adelanté el video, aunque resulta un circuito muy simple a diferencia del canal N, las pérdidas de conducción y conmutación dominan, Si en efecto tienes razón con el simulador pero recuerda que un simulador es simplemente una calculadora con una interfaz gráfica, los resultados por ejemplo dependen del modelo que representa el mosfet que a su vez depende de la persona que lo hizo, puede funcionar en el simulador y no en la realidad y viceversa, saludos.
Hola Gipson. Si el diodo fuera de velocidad de conmutación infinita, como sería de manera ideal, entonces no habría que hacer ningún ajuste a los resistores, ya que este valor seria igual a 1. Como no es así entonces el factor de ajuste encontrado de forma experimental por ensayo y error me dió ese valor 0.917 es decir 91.7% con la finalidad de conseguir resultados mas exactos.
Me gustó la forma en que realizaste esta presentación.
Excelente explicación...cómo todo un profe.. saludo cordial
Hola Rodolfo. Gracias amigo.
Muy bien explicado y muy bien estructurado. Por cierto, que software utilizas para la simulación? Es una versión gratuita o la has pagado? Muchas gracias!
Hola Jordi. Utilizo Proteus versión 8.12
excelente explicación... que programas usas para la simulación...saludos desde vzla
Hola Hermes. Proteus versión 13.
gracias por tu explicacion, me gustaria saber como funcionaria el convertidor boost
Hola Edison. Lo anotaré.
@@detodounpoco_electronica gracias
Gran explicación amigo. Podrías recomendarme alguna bibliografía para profundizar en los cálculos y ecuaciones que explicas? gracias.
Hola Víctor. Pienso que el acceso a la información debería ser gratis. Así que puedes buscar en estos libros: "Principios de Electrónica" de Abert Malvino o en "Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos" de Robert L. Boylestad. Algunos detalles de diseño y descripción de funcionamiento tal vez no están muy detallados en los libros, así que toca apelar a que tan bien se maneja la teoría para hallar una explicación.
@@detodounpoco_electronica muchas gracias, tu explicación es excelente, saludos.
@@victorhugoherrera3892 Gracias Víctor. Recomiéndalo y compártelo
La puerta del transistor de canal N debe estar a una tensión umbral por encima de la tensión de la fuente, lo que no consigue con la configuración que implementa, para activar el transistor canal N necesita una configuración de bootstrap.
Hola Discrete Component, gracias por comentar. Para aclarar, en el video no utilizo un mosfet canal N sino canal P, miralo nuevamente y verificalo. Por otro lado, para activar el mosfet como refiero en el video, se requiere entre 4V y 10V entre source y el gate (está en el datasheet) asi que no se necesita un voltaje mayor que la fuente(12V) como dices. Y por último, usando el sentido común, si cualquier transistor no se activara entonces la salida Vo seria 0V pero en la simulación la salida Vo es 5V, lo cual contradice tu afirmación.
@@detodounpoco_electronica Ohhh si lo entiendo disculpame normalmente en la práctica no se implementa de esa manera y di por hecho un canal N adelanté el video, aunque resulta un circuito muy simple a diferencia del canal N, las pérdidas de conducción y conmutación dominan, Si en efecto tienes razón con el simulador pero recuerda que un simulador es simplemente una calculadora con una interfaz gráfica, los resultados por ejemplo dependen del modelo que representa el mosfet que a su vez depende de la persona que lo hizo, puede funcionar en el simulador y no en la realidad y viceversa, saludos.
@@discretecomponent2982 Gracias por tu aporte.
Y el video para la fuente PWM?
Me ha servido mucho tu video, pero me gustaria saber mas sobre donde puedo aprender mas sobre el ΔI y el Δ𝑉
Hola Julian. Puedes encontrarlo en cualquier libro de Electrónica de Potencia. El autor puede ser por ejemplo Muhammad H. Rashid.
Ese mismo plano me hace falta .me ayudes y yo quiero hacerlo de 48vol para 12 vol
Hola Raúl. No prometo apoyarte con todo el proyecto, pero si podría apoyarte en situaciones puntuales del mismo.
oye pero de dónde sacaste el valor 0.917
Hola Gipson. Si el diodo fuera de velocidad de conmutación infinita, como sería de manera ideal, entonces no habría que hacer ningún ajuste a los resistores, ya que este valor seria igual a 1. Como no es así entonces el factor de ajuste encontrado de forma experimental por ensayo y error me dió ese valor 0.917 es decir 91.7% con la finalidad de conseguir resultados mas exactos.